（原标题：1C DRAM，SK hynix公共首发）

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SK海力士本日秘书，公共初度胜仗建树出摄取第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向全国展现了10纳米出面的超细小化存储工艺时期。

SK海力士强调：“跟着10纳米级DRAM时期的代代相传，细小工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认同的第五代（1b）时期力为基础，普及了想象完成度，早先冲破了时期极限。公司将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从来岁开动供应家具，引颈半导体存储器市集发展。”

公司以1b DRAM平台推广的样貌建树了1c工艺。SK海力士时期团队以为，由此不仅不错减少工艺高度化经由中可能发生的尝试不实，还不错最有用地将业界内以最高性能DRAM受到认同的SK海力士1b工艺上风滚动到1c工艺。

况且，SK海力士在部分EUV工艺中建树并适用了新材料，也在系数这个词工艺中针对EUV适用工艺进行了优化，由此确保了资本竞争力。与此同期，在1c工艺上也进行了想象时期转换，与前一代1b工艺比拟，其分娩率普及了30%以上。

这次1c DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，其运行速率为8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代比拟速率普及了11%。另外，能效也普及了9%以上。跟着AI时期的到来，数据中心的耗电量在链接增多，若是运营云工作的公共客户将SK海力士1c DRAM摄取到数据中心，公司预测其电费最高能减少30%。

SK海力士DRAM建树担当副社长金锺焕暗示：“1c工艺时期兼备着最高性能和资本竞争力，公司将其操纵于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等发轫进DRAM主力家具群，由此为客户提供分袂化的价值。今后公司也将苦守DRAM市集的指引力，郑重最受客户相信的AI用存储器经管有筹议企业的地位。”

卓著三星

业内东谈主士早在4月8日显露，SK海力士已制定里面道路图，期货配资公司打算在第三季度内获取客户认证并开动量产10纳米级第六代DRAM。现在业界卓著的DRAM家具双倍数据速率（DDR）5 16Gb（千兆位），瞻望将谨慎获取与英特尔工作器平台的兼容性认证。

一朝 SK 海力士的 DRAM 获取英特尔 CPU 使用认证，它很快就会看到运营数据中心的大型科技公司的需求激增。英特尔与 AMD 共同主导着公共工作器 CPU 市集，占据着 70-80% 的市集份额。业内群众预测，由于 DDR5 是一种商品，各公司皆在提前作念好准备，瞻望在获取英特尔认证后将速即开动向亚马逊和微软等大客户销售。

SK海力士旧年1月，10纳米级第四代（1a）DDR5工作用具DRAM获取英特尔认证，创下公共首例；5月，10纳米级第五代（1b）DDR5再次创下公共首例，参预英特尔数据中心兼容性考据阶段。现在，SK海力士正加速步调，力求凭借行将于第三季度推出的第六代（1c）家具再创“公共首例”。

对比两家公司公开的道路图，SK海力士10纳米级第六代DRAM量产时刻表卓著于三星电子。三星打算于本年12月通过客户认证并开动量产。上个月，在好意思国硅谷举行的MemCon 2024公共半导体会议上，三星公布了其下一代DRAM的建树道路图，秘书打算在本年年底前量产第六代10纳米级DRAM。

10nm级第六代家具将摄取顶端的极紫外（EUV）光刻工艺，与之前的第五代10nm级家具比拟，可达成更高的净芯片数目（Net Die，即每个晶圆可分娩的芯片数目）并普及功率效果。

三星电子还打算在本年 12 月之前获取客户认证并进行量产，正如最近在硅谷举行的 MemCon 2024 会议上所显露的那样，该公司在会上透露了其在年底前分娩第六代 10 纳米级 DRAM 的打算。

第六代 10 纳米级 DRAM 代表了现在最高端的第五代 10 纳米级家具的下一代。两种工艺均摄取了先进的 EUV 光刻时期，但第六代工艺将用于更多电路，从而达成比第五代工艺更高的净芯片良率和更高的功率效果。

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